На рынке производства микросхем давно доминирует идея что следующий шаг после классической фотолитографии должен всё равно оставаться в логике работы со светом просто с более сложными источниками масками и оптикой.
Но стартап Lace Lithography предлагает совершенно другой сценарий: не улучшать световую литографию а обойти её фундаментальные ограничения.
По данным Reuters компания из Норвегии разрабатывает систему где рисунок на пластине формируется пучком нейтральных атомов гелия а не фотонами.
В теории это позволяет уйти от дифракционного предела который остаётся одной из ключевых проблем для современной EUV-эпохи.
Lace утверждает что ширина такого пучка составляет около 01 нм и именно поэтому компания говорит о возможности создания элементов чипов которые окажутся примерно в десять раз меньше чем у нынешних передовых решений.
Такой подход уже получил собственное обозначение BEUV Beyond EUV.
Если идея сработает в промышленном масштабе индустрия теоретически сможет приблизиться к формированию структур почти на атомном уровне.
Для рынка это выглядит как попытка пересобрать саму логику дальнейшего масштабирования после того как EUV и High-NA EUV начнут упираться в всё более дорогие и сложные пределы.
Но пока важно сохранять трезвый взгляд: Lace находится на раннем этапе.
Reuters отмечает что у компании уже есть прототипы однако тестовый инструмент для пилотного fab-производства ожидается только около 2029 года.
До серийного внедрения дистанция остаётся огромной особенно если вспомнить что ASML потратила десятилетия и миллиарды долларов чтобы превратить EUV из научной идеи в реальное массовое оборудование.
Тем не менее сам факт привлечения 40 млн и интерес со стороны инвесторов включая M12 от Microsoft показывает что рынок ищет не просто улучшения EUV а возможную платформу для следующей эры литографии.
Источник: rutube.ru